北京30天质保期电源芯片价格一览表承诺守信「同创芯」

台湾***！台积电宕机

3月23日消息，据台湾气象部门表示，23日凌晨1点多起，台湾接连发生多起***，除了1点41分的6.6级***外，1点43分还发生了6.1级***，震中位于花莲县丰滨乡，5级以上的***有5次。

有反映，福建福州、泉州、厦门等多地有震感。日本气象厅也发布***警报，冲绳地区有震感。

经确认，台积电、联电、南茂等半导体厂一些敏感机型出现宕机情况，其中台积电还出现部分人员零星疏散。

联电表示，员工及厂房均安、部分机台出现停机，需要重新开机，整体季业绩不受影响。

台积电称，其部分设备受到***的影响，预计***不会造成重大影响，但该公司仍在对实际影响进行终评估。

另据力积电表示，有若干机台自动暂停，目前已陆续回线生产，预计今天中午前完全***正常。经公司评估产线没有晶圆报废情况，停线仅造成约0.1天的产能损失，未来将以调节生产计划方式来弥补，对力积电营收没有影响。

世界***发表声明称，公司位于新竹的晶圆一厂、二厂与五厂测得震度达三级。此***对公司生产的影响正在评估中。

群创公司表示，***时已启动厂区设备防震保护暂时停机，目前逐步复归中，人员皆安全，对运营没有影响。

友达公司则称，***发生时间，以确保人员安全为首要，待确认厂内安全无虞后进行设备检测，部分机器安全性停机，目前持续复归中。

SEMI晶圆厂预测报告（2）

以地区别来看，中国台湾为今年晶圆厂设备支出，总额较去年增长56％来到350亿美元；韩国则以增幅9％、总额260亿美元；中国大陆175亿美元，相比去年高峰下降30％。欧洲及中东地区今年支出可望创下该区历史纪录，达96亿美元，总额虽然不比其他前段班地区，但同比增长却爆冲248％令人印象深刻。预计中国台湾、韩国、东南亚在今年的设备***额都将创下新高，报告中也指出美洲地区晶圆厂设备支出明年将攀至高点达98亿美元。

根据SEMI晶圆厂预测报告，晶圆设备业产能连年增长，继去年提升7％之后，今年持续成长8％，明年也有6％的涨幅。上次年增率达8％需回溯至2010年，当时每月可产1,600万片8吋约当晶圆，几乎仅是2023年每月预估产能2,900万片8吋约当晶圆的一半。

SEMI指出，今年有150家晶圆厂和生产线产能增加占所有设备支出比重超过83％，但随着另外122家已知晶圆厂和生产线持续提升产能，明年该比例将降至81％。至于晶圆代工部门一如预期，将是今、明两年设备支出的宗，占比高达50％，其次是存储器部门的35％，而绝大部分产能增长也将集中于此两大部门。

柔性薄膜晶体管的大面积光子剥离工艺

在塑料上制造柔性电子产品通常受到聚合物基板尺寸稳定性差的限制。为了减轻影响，在制造过程中使用了玻璃载体，但在不损坏电子设备的情况下从载体上移除塑料基板仍然具有挑战性。在这里，我们利用大面积、高通量光子剥离 (PLO) 工艺将聚合物薄膜与刚性载体快速分离。PLO 使用来自闪光灯的 150 μs 宽带光脉冲从涂有光吸收层 (LAL) 的玻璃载体基板上剥离功能性薄膜。建模表明聚合物/LAL 界面在 PLO 期间达到 800 °C 以上，但 PI 的顶面保持在 120 °C 以下。在聚酰基板上制造铟锌氧化物 (IZO) 薄膜晶体管 (TFT) 阵列，并以光子方式从玻璃载体上剥离。PLO 未改变 TFT 迁移率。柔性 TFT 机械坚固，弯曲时不会降低移动性。

中高功率应用宽带隙半导体开关器件驱动电路综述

“宽带隙（WBG）基于氮化（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）和碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的基于宽带隙（WBG）的转换装置被认为是非常有前途的候选者更换用于各种***电源转换应用的传统硅（SI）MOSFET，主要是因为它们具有更高开关频率的能力，具有较少的开关和导通损耗。然而，为了充分利用它们的优势，了解WBG和Si的开关装置之间的内在差异并对WBG设备进行安全，有效地和可靠地研究有效手段至关重要。本文旨在为电力工程领域提供工程师了解WBG切换设备的驾驶需求，特别是对于中到高功率应用。首先，探讨了WBG开关装置的特性和操作原理及其在特定电压范围内的商业产品。接下来，寻址关于WBG交换设备的驱动电路设计的考虑，探索设计用于WBG交换设备的商业驱动程序。后，介绍了关于典型关于在中到高功率应用中的WBG交换设备的驾驶技术的综述。“ 探索为WBG交换设备设计的商业驱动程序。后，介绍了关于典型关于在中到高功率应用中的WBG交换设备的驾驶技术的综述。“ 探索为WBG交换设备设计的商业驱动程序。后，介绍了关于典型关于在中到高功率应用中的WBG交换设备的驾驶技术的综述。“