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英特尔传砸10亿美元在美建厂|广州同创芯

外媒 TheStreet 1月14日报道，英特尔传将斥资 10 亿美元在俄亥俄州建造新晶圆代工厂，该公司预测 2030 年半导体市场规模将成长一倍至 1 兆美元，届时晶圆代工需求将激增。

据报道，英特尔俄亥俄州新奥尔巴尼厂占地 1295 公顷，预计将于十年内建成，若设厂消息终属实，这将是俄州 1982 年以来大规模的企业设厂。

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三星、罗姆、丰田、福斯接连宣布！广州同创芯

大两家DRAM制造商三星电子和美光的西安厂也遇到问题，因从12月23日起实施严格的封城，导致短期DRAM产量略有下降。

三星发言人稍早一份声明称，该公司会采取一切必要措施，确保客户不受西安业务调整的影响。美光12月下旬表示，西安封城，使得劳工短缺，影响DRAM芯片生产。

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美光将建立1个全新且技术更***的晶圆厂|广州同创芯

美光于2021年曾宣布，将***1.5亿美元（约9.5亿）的资金来扩大和改进现有晶圆厂的产能，并且可能会建设更多工厂。而除了德州之外，还包括加州、亚利桑那州等也都在美光设厂的考虑范围内。

对于新晶圆厂的产能规划，报道指出新工厂大概会以生产DRAM记忆体或NAND Flash快闪记忆体为主，还需要根据当时市场需求状况而定。另外，美光预计选择晶圆厂的地点标准，不仅要考虑当地的施工成本，还得包括当地的基础设施建设和监管部门的态度。

美光现货价格暴涨25%

上周NAND Flash存储器大厂西数、铠侠位于日本的两座工厂因原料污染导致生产受阻，带动市场涨价效应。有供应链透露，近日接获美光通知NAND芯片合约、现货价双双上涨，合约价涨17%至18%，现货价25%以上，是目前已知涨价幅度的业者。

业界指出，西数、铠侠事件爆发后，同业涨价或暂停报价在预期内，但原本市场预期涨价在15%左右，美光涨幅超乎预期，现货价更大涨逾25%，业界人士指出，由于合约价是每个月商议，此次美光涨价几乎是即时生效，预计下月初可反映，凸显相关事件影响比预期大，后续涨价风潮恐一波接一波出现。

对于此报道，美光昨日未正面回应大幅调升NAND芯片报价消息，强调该公司营运未受同业工厂污染事件影响，将持续提供客户解决方案，与客户签订长期协议的策略有助于在产业不确定时期，使客户对供应保有信心。

接下来关注***是三星、SK海力士两家韩系业者的动作，若两大厂也大涨价，将推升这波涨价风潮。